(Dioden-Typ: Gleichrichterdiode Schottky. Gehäuse: PowerDI®323. Wir bemühen uns, Kunden innerhalb von 24-48 Stunden zu antworten). Struktur des Halbleiters: einzelne Diode.
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Dioden-Typ: Gleichrichterdiode Schottky. Rückspannung max.: 60V. Gehäuse: SMC. Vorwärtsstrom: 8A. Struktur des Halbleiters: einzelne Diode.
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Impuls: 150A.
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Impuls: 140A.
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Item includes:One item. We have a lot of products and only show a small number of products on the website.
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I can provide a large number of spare parts for old PCs.
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Experienced technichal support team.
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Impuls: 100A.
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Dioden-Typ: Gleichrichterdiode Schottky. Rückspannung max.: 650V. Verlustleistung: 56W. Technologie: SiC. Struktur des Halbleiters: einzelne Diode. Vorwärtsstrom: 8A.
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Dioden-Typ: Gleichrichterdiode Schottky. Gehäuse: TO247-3. Rückspannung max.: 1.2kV. Technologie: SiC.
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Dioden-Typ: Gleichrichterdiode Schottky. Gehäuse: D2PAK. Rückspannung max.: 100V. Strom im max. Impuls: 850A.
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Diode: Schottky -Korrektur; Tht; 60 V; 8a; Ø5,4x7,5 mm; Munmo Packa -Nachricht an unsere Kunden in Italien, bitte lesen Sie vor dem Kauf: Bitte sollten Sie beraten, aufgrund von Verzögerungen mit Post zu Italien, und in einigen Fällen, in denen Pakete fehlen, können wir keine Pakete mehr per Standard -Luftpost senden. Wenn Sie sich für den Kauf entscheiden, müssen wir bitte anfordern, dass Sie für verfolgte Luftpost zahlen. Wenn dies nicht vor dem Auschecken ausgewählt wird, werden wir Sie auffordern, unabhängig vom Bestellwert eine separate Zahlung zu leisten. Wir bedauern, dass wir zu dieser Maßnahme zurückgekehrt sind, und wir versprechen, sich umzukehren, wenn die Dinge wieder auf die Normalität gehen.
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Impuls: 150A.
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Dioden-Typ: Gleichrichterdiode Schottky. Rückspannung max.: 650V. Verlustleistung: 37W. Technologie: SiC. Struktur des Halbleiters: einzelne Diode. Vorwärtsstrom: 8A.
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Dioden-Typ: Gleichrichterdiode Schottky. Gehäuse: SMPC. Gehäuse: TO277A. Vorwärtsstrom: 8A. Struktur des Halbleiters: einzelne Diode. Rückspannung max.: 100V.
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Dioden-Typ: Gleichrichterdiode Schottky. Technologie: SiC. Vorwärtsstrom: 8A. Verlustleistung: 100W. Struktur des Halbleiters: einzelne Diode. Rückspannung max.: 600V.
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