Impuls: 0.1A Verlustleistung: 250mW.
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Impuls: 600mA Vorwärtsspannung max.: 1V Leck strom: 100nA Verlustleistung: 200mW.
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Dioden-Typ: Gleichrichterdiode Schottky. Gehäuse: SOT23. Rückspannung max.: 70V. Strom im max. Impuls: 0,1A.
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"Geodesic and Horocyclic Trajectories" bietet eine fundierte Einführung in die topologische Dynamik zweier klassischer Strömungen, die mit Flächen konstanter negativer Krümmung verbunden sind: den geodätischen und den Horozyklenströmungen. Das Buch zielt darauf ab, die Verbindungen zwischen verschiedenen mathematischen Disziplinen aufzuzeigen und deren Vorteile in einem relativ zugänglichen Rahmen zu präsentieren. Historische Aspekte werden nicht behandelt, und die meisten Referenzen sind in den Kommentaren am Ende jedes Kapitels zu finden. Die behandelten Themen umfassen Geometrie, Fuchsische Gruppen, die topologische Dynamik des geodätischen Flusses, Schottky-Gruppen sowie den lorentzianischen Blickwinkel und Diophantine Approximationen. Dieses Fachbuch richtet sich an Leser, die ein vertieftes Verständnis der mathematischen Konzepte und deren Anwendungen in der Geometrie und Dynamik suchen.
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Impuls: 0.6A.
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MPN: JANTXV1N5711. Case: DO35. Diode 70V Schottky Axial.
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70V 70mA Schottky Diode. Diode Type. 50 PIECES per order. 100 nA @ 50 V. 1 V @ 15 mA. SC-76, SOD-323. Surface Mount. Mounting Type.
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Dioden-Typ: Gleichrichterdiode Schottky. Gehäuse: SOT23. Rückspannung max.: 70V. Strom im max. Impuls: 0,1A. Vorwärtsspannung max.: 1V.
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Das Fachbuch "Studies on Pt/Ru and Pd/Ru Schottky Contacts to n-type Gallium Nitride" bietet eine umfassende Analyse der Schottky-Kontakte zu n-dotiertem Gallium-Nitrid (GaN). In den letzten Jahren hat GaN aufgrund seiner herausragenden Eigenschaften, wie einer hohen Bandlücke und einer hohen Sättigungsgeschwindigkeit, an Bedeutung gewonnen. Diese Eigenschaften machen GaN zu einem vielversprechenden Material für Anwendungen in Hochleistungsgeräten, die bei hohen Temperaturen und hohen Schaltgeschwindigkeiten arbeiten. Das Buch behandelt die physikalischen Grundlagen und die praktischen Anwendungen von GaN in verschiedenen Bereichen, einschliesslich optoelektronischer Geräte, LEDs, Laserdiode und Hoch-Elektronen-Mobilitäts-Transistoren (HEMTs). Die Autoren, V. R. Reddy und N. Nanda Kumar Reddy, bringen ihre Expertise in Mathematik, Naturwissenschaften und Astronomie ein, um die komplexen Zusammenhänge und die Relevanz von Schottky-Kontakten in modernen Technologien zu beleuchten.
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Impuls: 0.1A Verlustleistung: 250mW.
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10X BAS70-07.215 BAS70-07,215 Diode: Gleichrichterdiode Schottky SOT143B SMD 70V 70mA NEXPERIA. Dioden-Typ: Gleichrichterdiode Schottky. Gehäuse: SOT143B. Rückspannung max.: 70V. Strom im max. Impuls: 0,1A.
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Impuls: 0.1A Verlustleistung: 250mW.
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Das Fachbuch "Nanoscale Redox Reaction at Metal/Oxide Interface" von Takahiro Nagata bietet eine umfassende Untersuchung der physikalischen Eigenschaften von Metall/Oxid-Grenzflächen und deren Bedeutung für die Entwicklung zukünftiger funktionaler Geräte. In Anbetracht der wachsenden Herausforderungen, die mit der Leistung von Siliziumgeräten verbunden sind, werden Oxidmaterialien als vielversprechende Alternativen hervorgehoben. Der Autor erläutert, wie die gezielte Auswahl und Entwicklung von Oxidmaterialien deren Anwendung in verschiedenen Technologien optimieren kann. Durch den Einsatz nicht-destruktiver Methoden wie der Röntgen-Photoelektronenspektroskopie und der Röntgenreflektometrie wird die Kontrolle über die Struktur und elektrischen Eigenschaften der Metall/Oxid-Grenzflächen untersucht. Das Buch schliesst mit einer Diskussion über die Anwendung von optischen Sensoren und der Struktur von metallischen Schottky-Kontakten sowie metallisch/oxidischen resistiven Speicherstrukturen.
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Impuls: 100mA Vorwärtsspannung max.: 1V Verlustleistung: 200mW.
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Dioden-Typ: Gleichrichterdiode Schottky. Gehäuse: SOT323. Vorwärtsstrom: 70mA. Rückspannung max.: 70V. Struktur des Halbleiters: einzelne Diode. Strom im max. Impuls: 0,1A.
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Impuls: 0.1A Verlustleistung: 200mW.
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"Spin Injection in Silicon" ist ein Fachbuch, das sich mit der innovativen Technologie der Spintronik in Halbleitern beschäftigt. Es beleuchtet die Möglichkeiten, die sich aus der Manipulation von Ladungen und dem Elektronenspin ergeben, und wie diese Technologien die Informationsverarbeitung revolutionieren könnten. Der Autor, Thomas Uhrmann, untersucht die Funktionsweise von SpinFET-Geräten, bei denen herkömmliche Kontakte durch ferromagnetische Elektroden ersetzt werden, um spin-polarisierte Ströme in Silizium zu injizieren und zu detektieren. Ein zentrales Thema des Buches ist die Überwindung des Leitfähigkeitsmissverhältnisses zwischen ferromagnetischen Kontakten und Silizium, das als Haupthindernis für die Spin-Injektion identifiziert wird. Durch die Analyse der strukturellen, elektrischen und magnetischen Eigenschaften von ferromagnetischen Schottky-Dioden und MgO-basierten Tunnel-Dioden bietet das Buch wertvolle Einblicke in die Herausforderungen und Fortschritte in diesem aufstrebenden Forschungsfeld.
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