(Dioden-Typ: Gleichrichter. Gehäuse: DO41. Strom im max. Impuls: 30A. Rückspannung max.: 200V. Wir bemühen uns, Kunden innerhalb von 24-48 Stunden zu antworten).
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Dioden-Typ: Gleichrichterdiode Schottky. Struktur des Halbleiters: einzelne Diode.
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Dioden-Typ: Gleichrichterdiode Schottky. Bereitschaftszeit: 35ns. Rückspannung max.: 200V. Gehäuse: SMC. Vorwärtsstrom: 4A. Struktur des Halbleiters: einzelne Diode.
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Eine hochwertige Hochleistungs-Silizium Gleichrichterdiode, Modell 1N250B. Diese Hochleistungs-Silizium Gleichrichterdiode eignet sich ideal für Elektronikprojekte, Reparaturen oder als Ersatzteil. 1x Gleichrichterdiode (NOS).
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◆Wenn keine besonderen Umstände vorliegen, kommt es bei der Ankunft Ihres Produkts nicht zu Verzögerungen. Wenn ja, werden wir uns zeitnah mit Ihnen in Verbindung setzen. Wir werden Ihnen so schnell wie möglich antworten.
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Dioden-Typ: Gleichrichter. Gehäuse: D2PAK. Bereitschaftszeit: 20ns. Rückspannung max.: 200V. Diese Angaben basieren auf jahrelanger Erfahrung mit weit über einer halben Millionen zufriedener Kunden. Strom im max.
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1N4003 - Silizium Dioden ungegurtet / 200V / 1A / Neu ---! --- Silizium Dioden - Elektronik / Bauteile ---. -- - 10 Stück ---. ---10 Stück ---. weil sie nicht Ihren Erwartungen entspricht.
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Dioden-Typ: Gleichrichter. Bereitschaftszeit: 35ns. Gehäuse: SMB. Rückspannung max.: 200V. Struktur des Halbleiters: einzelne Diode. Diese Angaben basieren auf jahrelanger Erfahrung mit weit über einer halben Millionen zufriedener Kunden.
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Dioden-Typ: Schaltdiode. Gehäuse: SOD80. Bereitschaftszeit: 50ns. Rückspannung max.: 200V. Struktur des Halbleiters: einzelne Diode. Diese Angaben basieren auf jahrelanger Erfahrung mit weit über einer halben Millionen zufriedener Kunden.
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MPN: DF02S. Case: SMD-DFS. Diode Bridge 200V 1A. Manufactured: VISHAY ELECTRONIC.
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Impuls: 9.3A Verlustleistung: 200W Rückspannung max.: 13V.
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