Impuls: 27A Vorwärtsspannung max.: 1.1V.
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U3D-M3/9AT Ultrafast Diode.
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Our parts are new and unused.
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Dioden-Typ: Gleichrichter. Gehäuse: DO15. Strom im max. Impuls: 70A. Rückspannung max.: 200V.
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Gehäuse: STO220 (SC83 similar). Dioden-Typ: Gleichrichter. Bereitschaftszeit: 35ns. Rückspannung max.: 200V. Relais & schütze. BELIEBTE KATEGORIEN. Diese Angaben basieren auf jahrelanger Erfahrung mit weit über einer halben Millionen zufriedener Kunden.
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We have a lot of products and only show a small number of products on the website.
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Gehäuse: CASE59. Dioden-Typ: Gleichrichter. Rückspannung max.: 200V. Weitere technische Informationen finden Sie unter Informationen zur Produktsicherheit und Barrierefreiheit. Strom im max. Impuls: 30A.
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SM15T200A TRANSIL DIODE. 5 Stück / 5 pieces SM15T200A TRANSIL DIODE unidirectional ( Suppressordiode) NEU / NEW. Kompatibel zu SMCJ. Compatible to SMCJ. Referenz-Typen / Cross Reference Parts Spannungspulse die durch Schaltvorgänge im Netz oder durch nahe Blitzschläge die auftreten.
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Dioden-Typ: Gleichrichter. Gehäuse: TO220AB. Strom im max. Impuls: 80A. Rückspannung max.: 200V. Diese Angaben basieren auf jahrelanger Erfahrung mit weit über einer halben Millionen zufriedener Kunden.
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Gehäuse: DO15. Durchbruchspannung: 200V. Dioden-Typ: TVS. Damit sind Sie als Kunde und wir als Händler vor Betrügern geschützt. Strom im max. Impuls: 2,2A. Diese Angaben basieren auf jahrelanger Erfahrung mit weit über einer halben Millionen zufriedener Kunden.
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Dioden-Typ: Gleichrichterdiode Schottky. Gehäuse: TO220AC. Rückspannung max.: 200V. Struktur des Halbleiters: einzelne Diode. Vorwärtsstrom: 10A.
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2 Stück SBR20200CTFP DIODE. SBR 200V 10A. 3TB TOSHIBA DT01ACA300 3,5" SATA 6.0GB/s Festplatte HDD 7200RPM # R10-C1EUR 199,0000. Strom - Sperrleckstrom @ Vr 100µA @ 200V. DIODE ARRAY. Strom - durchschnittl.
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(Dioden-Typ: Schaltdiode. Gehäuse: TO220-2. Rückspannung max.: 200V. Wir bemühen uns, Kunden innerhalb von 24-48 Stunden zu antworten). Vorwärtsstrom: 8A.
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Dioden-Typ: Gleichrichterdiode Schottky. Rückspannung max.: 200V. Gehäuse: SMA. Struktur des Halbleiters: einzelne Diode.
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Lager-/Restbestände
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