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Impuls: 2A Vorwärtsspannung max.: 1.25V Verlustleistung: 350mW.
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MPN: BAV70W-E6327. Case: SOT323. Diode 70V 0.25A Dual. Manufactured: INFINEON TECHNOLOGIES.
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MPN: BAV70. Case: SOT23. Diode 70V 0.25A.
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MPN: BAV70WT1. Case: SOT323. Diode 70V 0.25A Dual. Manufactured: MOTOROLA SEMICONDUCTOR.
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Impuls: 2A Vorwärtsspannung max.: 1.25V Verlustleistung: 350mW Leck strom: 50µA.
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MPN: BAV70LT1G. Case: SOT23. Diode 70V 0.25A. Manufactured: ON SEMICONDUCTOR.
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Wir werden Ihnen so schnell wie möglich antworten. ◆ Unsere Arbeitszeit ◆Wenn keine besonderen Umstände vorliegen, kommt es bei der Ankunft Ihres Produkts nicht zu Verzögerungen. Wenn ja, werden wir uns zeitnah mit Ihnen in Verbindung setzen.
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Item includes:One item. We have a lot of products and only show a small number of products on the website.
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(Wir bemühen uns, Kunden innerhalb von 24-48 Stunden zu antworten).
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Dioden-Typ: Schaltdiode. Gehäuse: SOT323. Vorwärtsstrom: 175mA. Bereitschaftszeit: 4ns. Rückspannung max.: 100V. Struktur des Halbleiters: doppelt.
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Dioden-Typ: Schaltdiode. Gehäuse: SOT363. Bereitschaftszeit: 4ns. Rückspannung max.: 100V. Struktur des Halbleiters: doppelt x2.
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Dioden-Typ: Schaltdiode. Bereitschaftszeit: 4ns. Gehäuse: SOT23. Vorwärtsspannung max.: 1,25V. Rückspannung max.: 100V.
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Impuls: 2A Vorwärtsspannung max.: 1.25V Verlustleistung: 200mW.
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Impuls: 0.5A Verlustleistung: 200mW.
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