Premium -Umwandlungsrate: Die Verwendung von Hochfrequenzschaltungen für MOSFETs mit extrem geringem Leitungswiderstand zum Ersetzen herkömmlicher Gleichrichterdioden verbessert den Konverter -Effizienz erheblich, verringert die Gesamtgehäusetemperatur und erreicht ein minimales Gehäuse für eine größere Leistung.
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