Batterie: 0,1 ~ 4,5 V, Spannungswert, positive und negative Polarität. JFET: Gate-Kapazität Cg, Drain-Strom ld unter Vgs, Vorwärtsspannungsabfall der Schutzdiode Uf. Transistor: β ist größer als 10 und kleiner als 600, Vergrößerung hfe, Basis-Emitter-Spannung Ube, Ic/le, Kollektor-Emitter-Sperrstrom Iceo, Ices, Durchlassspannungsabfall der Schutzdiode Uf.
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