Der JFE150 zeichnet sich durch eine Leistung aus, die in älteren diskreten JFET-Technologien nicht verfügbar war. Bei einer Vorspannung von 5 mA weist der Baustein ein eingangsbezogenes Rauschen von 0,8 nV/√ Hz auf, was eine extrem niedrige Rauschleistung bei extrem hoher Eingangsimpedanz (> 1 TΩ) bedeutet.
eBay