Transistortyp: P-MOSFET. Gate-Ladung: 120 nC. Thermischer Widerstand Übergang–Gehäuse: 750 mK/W. Durchlasswiderstand (RDS(on)): 20 mΩ. Gate-Source-Spannung (VGS): 20 V. Gehäuse: TO-220AB.
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